Exjobbsförslag från företag

Detta är ett uppsatsförslag hämtat från Nationella Exjobb-poolen. Klicka här för att komma tillbaka till samtliga exjobbsförslag.

Förslaget inkom 2011-03-15

Characterization of type-II GaAs quantum dots grown by migration enhanced epitaxy for long wavelength infrared photodetectors.

OBS! ANSÖKNINGSTIDEN FÖR DETTA EXJOBB HAR LÖPT UT.
This project aims to compare and analyze different D2B quantum structures with each other. An optimized structure will then be processed into IR detectors, and the d photoresponse and dark current of fabricated IR detectors will be characterized.
1. Basic concept study on IR detector, type-II quantum dots, and epitaxy growth technology
2. Learn measurement sample processing and characterization techniques, for example AFM, SEM, low-temperature (77K) and room-temperature absorption and PL measurements.
3. Learn and follow detector fabrication process in clean-room
4. Characterization and analysis of the D2B materials and fabricated IR detectors.
5. Written report


  GÅ TILL XJOBB.NU FÖR FULLSTÄNDIG INFO OM DETTA EXJOBB




Informationen om uppsatsförslag är hämtad från Nationella Exjobb-poolen.